CVD是催化色谱累积（Chemical Vapor Deposition）的简称，指温度高环境下的色谱物理想法，如合金卤化物、可挥发合金、碳氢物理物质等的热进行分解、氢修复或其混合法物实验室气体在温度高环境下的催化物理想法，以沉淀物中合金、被铝合金氧化物、氧化物和相关无机物用料。这些技术水平设备开始是是 一项涂覆手法研发的，但迄今为止往往操作于耐低温用料的涂覆，还操作于高含量合金的精练、碎末聚合、半导体技术水平膜等，这一些极有独特的的技术水平设备科技领域。

　　列举，a-Al2O3和SiC不错在约1000℃下炼制，并靠着较低的温差进步。

　　CVD施工工艺可主要包括这两种：某种是使金屬卤化物与含碳、氮、硼等的无机化合物在液相中遭受反响；另某种是使加温基本的材质材料漆层的主要原料甲烷气体实施热吸附。

　　CVD平衡装置由汽化这局部、载气制作这局部、影响这局部和烟气治理 这局部根据。到目前为止，正处于开拓中用多地化生产方式的新生产设备。

　　CVD在多个分抑制系统的液相中采取，分为原材气、症状制造的副有机物气、载气等。因，当涂覆时，在高温的基本的材质材料和流体力学中间的的边界上出现发展层。该层的的会存在对涂覆的密度计算有挺大应响。图2彰显了该发展层的提示图。这样子，尽管的会存在很多的电学团伙出现的发展层，但其奠定时候是冗杂的。在粉丝制作而成时候中，抑制核的出现和生长期是该时候的重要的。

　　作为一个这种新的CVD水平，有以上这么几种：

　　（1） 拥有外流层的CVD；

　　⑵流化床；

　　⑶热解射流；

　　（4） 等阳离子CVD；

　　（5） 真空泵CVD等。

　　CVD管式炉的特别

　　形成物摄氏度低，膜组建非常容易抑制，膜板材的厚度与形成物准确时间相等，竖直性、从复性和台级包括率优质。

　　CVD制作的必不可少情况

　　1） 在形成工作温度下，影响物极具十分的蒸汽式压强，有时候可以以合理的极限速度添加影响室；

　　2） 除演变成气体膜原料外，作用物质可以是析出性的；

　　3） 基性岩的膜和基低建筑材料必定兼备够低的蒸气压。